IGBT и Диодные чипы

Потери IGBT в проводящем состоянии несколько выше по сравнению с GTO и IGCT. Потери при выключении, с другой стороны, ниже. По этой причине оптимальная частота переключения IGBT выше, чем у приборов GTO и IGCT тех же номиналов.

IGBT могут применяться и без цепей защиты (снабберов), позволяя создавать крайне простые топологии преобразователей. Цена этой простоты заключается в том, что большая часть потерь преобразователя рассеивается в кремнии и преобразуемая мощность ограничивается теплоотводом.

Уникальная особенность IGBT состоит в их возможности выдерживать короткие замыкания на выводах (большой ток и высокое напряжение через прибор одновременно). При коротком замыкании IGBT ограничивает ток на уровне заложенном при разработке, и существует возможность безопасно выключить короткое замыкание в течение 10 микросекунд сигналом на затворе, не повреждая прибор.

Загрузка…

    Ваши настройки:

    Контакт

    Россия
     
    db0003db004291 c125739900722305c1256f18003bccb5